Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP024N06N3G
IPP024N06N3GXKSA1 Hakkında
IPP024N06N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.4mΩ (100A, 10V) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paket türü ile soğutma radiatörü montajına uygun, endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, şarj cihazları ve switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı geniş ortam koşullarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok