Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP023NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP023NE7N3
IPP023NE7N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP023NE7N3GXKSA1, 75V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 300W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 206nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok