Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP023NE7N3G

IPP023NE7N3G Hakkında

IPP023NE7N3G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 2.3mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Çalışma sıcaklığı -55°C ile +175°C arasında değişebilir. 300W maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 37.5 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok