Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP023N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP023N10N5
IPP023N10N5AKSA1 Hakkında
IPP023N10N5AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltajında 120A sürekli drain akımı sağlayabilir. 2.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı özellikleri taşır. Gate charge değeri 210nC olup, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. 375W maksimum güç dağıtabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok