Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP023N04NG
IPP023N04NGXKSA1 Hakkında
IPP023N04NGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 2.3mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 120nC olup, 10V drive voltage altında kontrol edilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Yüksek akım taşıma kapasitesi ve düşük on-resistance değeri, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok