Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP020N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP020N08N5
IPP020N08N5AKSA1 Hakkında
IPP020N08N5AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim ve 120A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. 2mΩ maksimum on-state direnç (10V gate geriliminde 100A akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 375W güç tüketebilir. Gate eşik gerilimi 3.8V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok