Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP020N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP020N06NA

IPP020N06NAKSA1 Hakkında

IPP020N06NAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltajı ve 29A sürekli (Ta) / 120A (Tc) drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 2mΩ on-resistance (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile kullanımı kolaydır. Gate threshold voltajı 2.8V'tedir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalarda anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 143µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok