Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP019N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP019N08NF2

IPP019N08NF2SAKMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP019N08NF2SAKMA1, 80V drain-source voltaj ratingine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 32A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 191A maksimum akımı (Tc) desteklemektedir. 1.9mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç tüketimi sağlayan bu FET, güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, DC-DC konvertörleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır ve aktif ürün statüsü ile temin edilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 191A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 194µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok