Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP016N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP016N08NF2
IPP016N08NF2SAKMA1 Hakkında
IPP016N08NF2SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Trench teknolojisi kullanılan bu bileşen, 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç karakteristiği sunar. TO-220-3 paketinde sunulan IPP016N08NF2, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.8W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 196A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 267µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok