Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN95R3K7P7ATMA1
IPN95R3K7P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN95R3K7P7ATMA1, yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 950V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, koruma devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 3.7Ω maksimum RdsOn değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 6W maksimum güç tüketimiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok