Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN95R2K0P7ATMA1
IPN95R2K0P7ATMA1 Hakkında
IPN95R2K0P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 950V drain-source voltaj kapasitesi ile güç dönüştürücüler, anahtarlama devreler ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. SOT223 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drenaj akımı ve 2Ω maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma sınırları, 7W maksimum güç dağıtımı ve düşük kapı yükü (10nC) özellikleri ile AC-DC dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok