Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN95R1K2P7
IPN95R1K2P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN95R1K2P7ATMA1, 950V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-261-4 (SOT223) paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.2Ω maksimum on-direnç değeri ile çalışır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş özellikler sergiler. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilen bu transistör, düşük gate charge (15 nC) ve düşük input capacitance (478 pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Yüksek voltaj güç elektronikleri, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri ve offline power supply tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok