Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R900P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R900P7
IPN80R900P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN80R900P7ATMA1, 800V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. Surface mount TO-261-4 paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 900mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 7W maksimum güç tüketimi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve boost konvertörlerde kullanılır. 15nC gate charge ve 350pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok