Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R750P7ATMA1
IPN80R750P7ATMA1 Hakkında
IPN80R750P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük düzeyden kontrollü yüksek güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 7.2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile moderate güç seviyeleri için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok