Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R600P7
IPN80R600P7ATMA1 Hakkında
IPN80R600P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltajı ve 8A sürekli drenaj akımına sahip olup, 600mΩ on-resistance ile düşük geçiş kayıpları sağlar. TO-261-4 (SOT223) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtar (switching) görevi gören bu komponentin 20nC gate charge değeri hızlı kaporta süresi ve düşük enerji tüketimi sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, off-line SMPS adaptörleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj AC/DC converterlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok