Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R4K5P7A
IPN80R4K5P7ATMA1 Hakkında
IPN80R4K5P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj (Vdss) ve 1.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 4.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT223 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, AC adaptörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 6W güç tüketebilir. Gate charge değeri 4nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok