Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R3K3P7
IPN80R3K3P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN80R3K3P7ATMA1, 800V dayanıklı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 3.3Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. SOT223 surface mount paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 590mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok