Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R2K0P7ATMA1
LOW POWER_NEW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R2K0P7
IPN80R2K0P7ATMA1 Hakkında
IPN80R2K0P7ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygun olan bu bileşen, 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. TO-261-4 (PG-SOT223) SMD paketinde sunulan komponent, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve DC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 9nC gate charge ve 175pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 940mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok