Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R2K0P7
IPN80R2K0P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN80R2K0P7ATMA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Power MOSFET transistördür. 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve düşük gate charge (9nC) özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 940mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok