Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R1K4P7
IPN80R1K4P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN80R1K4P7ATMA1, 800V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu transistör, 10V gate drive voltajıyla kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok