Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN80R1K2P7
IPN80R1K2P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN80R1K2P7ATMA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltaj aralığında çalışabilen bu bileşen, 4.5A sürekli drenaj akımına ve 1.2Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Surface mount TO-261AA paketinde sunulan transistör, güç anahtarlaması, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve ±20V gate voltajına sahiptir. 11 nC gate charge değeri ile düşük kapasitif yük özelliğine sahiptir. 6.8W maksimum güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok