Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R900P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R900P7S
IPN70R900P7SATMA1 Hakkında
IPN70R900P7SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 900mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybı minimize edilir. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paket, kompakt devre tasarımlarına uygundur. Gate charge değeri 6.8nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılan verimli anahtarlama elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 211 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok