Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R750P7S
IPN70R750P7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN70R750P7SATMA1, 700V drain-source voltajına dayanıklı N-channel MOSFET transistörüdür. 6.5A sürekli dren akımı ve 750mOhm on-state direnci ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT223) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 10V sürülü gerilimde 3.5V eşik voltajı ve 8.3nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 306 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok