Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R450P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R450P7
IPN70R450P7SATMA1 Hakkında
IPN70R450P7SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source voltaj kapasitesi ve 10A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT223 yüzey montajlı paket içinde sunulur. 450mΩ (10V, 2.3A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±16V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 424 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok