Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R360P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R360P7S
IPN70R360P7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN70R360P7SATMA1, 700V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 12.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç kaynakları, inverterler, AC-DC ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaya uygun bir transistördür. 360mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayarak verimli çalışma garantiler. SOT223 (PG-SOT223) yüzey montaj paketine sahip olan bileşen, kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 517 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok