Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R2K1CEATMA1
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R2K1CEATMA1
IPN70R2K1CEATMA1 Hakkında
IPN70R2K1CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 750V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. 4A sürekli dren akımı ve 2.1Ω (10V, 1A'de) RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT223 paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygun olup, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı yönetimi, AC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. 7.8nC gate charge ve 163pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 3.5V eşik voltajı ile doğrudan lojik sürücülerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok