Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R1K5CE
IPN70R1K5CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN70R1K5CEATMA1, 700V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisine sahip bu transistör, 5.4A sürekli drain akımı ve 1.5Ω (1A, 10V) Rds(On) ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 5W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli kontrolü destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok