Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R1K5CE
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R1K5CE
IPN70R1K5CE Hakkında
IPN70R1K5CE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.4A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu küçük işaret transistörü, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama topraklayıcısı (switch) uygulamalarında tercih edilir. Surface Mount paketlemesi (TO-261-3) ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 5W maksimum güç tüketimi ile termal tasarım kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok