Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R1K4P7S
IPN70R1K4P7SATMA1 Hakkında
IPN70R1K4P7SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paketinde sunulur. 10V gate sürü geriliminde 1.4Ω maksimum on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücülerinde kullanılabilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, maksimum 6.2W güç disipasyonuna dayanıklıdır. 3.5V threshold voltajı ve düşük kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 158 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok