Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R1K2P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R1K2P7
IPN70R1K2P7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN70R1K2P7SATMA1, 700V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. SOT223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω maksimum RDS(on) direnci ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, adaptörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile uyumlu, 4.8nC gate charge ve 174pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 174 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok