Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN70R1K0CEATMA1
IPN70R1K0CEATMA1 Hakkında
IPN70R1K0CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 750V N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT223 (TO-261-4) paketinde sunulan bu bileşen, 7.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 14.9nC ve ±20V Vgs toleransı ile güvenli ve kontrollü anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok