Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN65R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN65R1K5CE
IPN65R1K5CEATMA1 Hakkında
IPN65R1K5CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç kontrolü sağlar. TO-261-4 (SOT223) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında çalışır. -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu transistör, 5W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. Ürün durum olarak yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok