Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN65R1K5CE
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN65R1K5CE
IPN65R1K5CE Hakkında
IPN65R1K5CE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 5.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-261-3 (PG-SOT223) yüzey montajlı paketinde sunulur. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 10nC gate charge ve 225pF input capacitance karakteristikleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok