Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R600PFD7SATMA1
CONSUMER PG-SOT223-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R600PFD7
IPN60R600PFD7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R600PFD7SATMA1, 600V drain-source voltajına dayanabilen N-Channel MOSFET transistördür. 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PG-SOT223-3 paketinde sunulmaktadır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve industrial kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü voltajında optimal performans gösterir. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı, yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında kullanımı kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 344 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok