Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R600P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R600P7S
IPN60R600P7SATMA1 Hakkında
IPN60R600P7SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT223 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı sürücü gerilimi ile çalışır ve 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok