Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R3K4CEATMA1
IPN60R3K4CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R3K4CEATMA1, 600V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 2.6A sürekli dren akımı sağlayabilir ve maksimum 5W güç saçabilir. SOT223 yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, düşük on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama işlevi gerçekleştirir. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen cihaz, -40°C ile 150°C arasında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED kontrolü ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans özellikleri ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 93 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok