Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R360P7S
IPN60R360P7SATMA1 Hakkında
IPN60R360P7SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 360mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount SOT223 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 10V drive voltajında optimal çalışma karakteristiklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok