Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R2K0PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R2K0PFD7
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R2K0PFD7SATMA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 3A sürekli drain akımı ve 2Ω maksimum RDS(on) değerleri ile güç elektronik devrelerinde düşük kayıp ile çalışır. TO-261-3 (SOT223) yüzey montaj paketiyle ufak alan gerektiren tasarımlara uygundur. Şalter devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, enerji yönetim sistemlerinde ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ~ 150°C geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 134 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok