Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R1K5PFD7
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R1K5PFD7SATMA1, 650V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 3.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-261-4 (PG-SOT223-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. Gate charge 4.6nC ve 169pF input kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 169 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok