Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R1K5CE
IPN60R1K5CEATMA1 Hakkında
IPN60R1K5CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223 paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, surface mount montajı destekler. Endüstriyel kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V Vgs aralığında güvenli çalışma imkanı sunarak tasarımcılara esneklik sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama ortamlarında kullanılmasına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok