Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R1K0PFD7SATMA1
CONSUMER PG-SOT223-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R1K0PFD7
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R1K0PFD7SATMA1, 600V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. PG-SOT223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan bu FET, 1Ohm maksimum on-resistance (Rds On) ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen ve -40°C ile 150°C arasında işletilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 6W maksimum güç saçma kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok