Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN60R1K0CEATMA1, 600V drain-source voltaj ile tasarlanmış bir N-channel MOSFET transistörüdür. 25°C sıcaklıkta 6.8A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, SOT223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1Ohm drain-source direnci (Rds On) ve 10V gate sürüş voltajı özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük gate yükü (13nC@10V) ve uygun parazitik kapasitans değerleri ile hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok