Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R950CEATMA1
IPN50R950CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN50R950CEATMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 950mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor sürücülerinde yer alır. SOT223 (TO-261-4) paket tipi sayesinde compact tasarımlar için uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol sistemleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok