Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R800CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R800CEAA
IPN50R800CEATMA1 Hakkında
IPN50R800CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 800mΩ maksimum açık durumda dirençle (Rds On) çalışır. -40°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sağlar. Endüstriyel kontrol uygulamaları, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve adaptif elektrik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 13V gate sürüş gerilimi ile kolay entegrasyon ve düşük gate yükü (12.4nC) ile hızlı komütasyon özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok