Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R3K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R3K0CEATMA1
IPN50R3K0CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN50R3K0CEATMA1, 500V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 2.6A sürekli drain akımı ve 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13V gate sürücü geriliminde optimize edilmiş bu bileşen, ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar. TO-261-4 (SOT223) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Açık/kapalı hızlı geçişleri, düşük kayıpları ve kompakt boyutu nedeniyle AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 4.3nC gate yükü ve 84pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok