Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R3K0CE
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R3K0CE
IPN50R3K0CE Hakkında
IPN50R3K0CE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET türü küçük sinyal alan-etki transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3Ω maksimum Ron (13V, 400mA koşullarında) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge özelliği 4.3nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 5W maksimum güç dağıtımı kapasitesindedir. Surface mount TO-261-3 (PG-SOT223) paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok