Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R2K0CE
IPN50R2K0CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN50R2K0CEATMA1, 500V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 2Ω (13V, 600mA) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Işık kaynakları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 124 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 600mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok