Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN50R1K4CE
IPN50R1K4CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPN50R1K4CEATMA1, 500V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 4.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. 1.4Ω on-resistance değeri ile enerji kaybı minimize edilmektedir. SOT223 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Gate charge değeri 8.2nC olup, hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 178 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok