Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPLK60R600PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R600PFD7ATMA1 Hakkında
IPLK60R600PFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (Thin-PAK 5x6) yüzeye monte pakette sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 344 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | Thin-PAK (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok