Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPLK60R360PFD7ATMA1
IPLK60R360PFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPLK60R360PFD7ATMA1, 600V drain-source gerilime dayanabilen N-Channel MOSFET transistördür. 13A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 360mΩ RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilir. Surface Mount TDSON-8-52 pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, converter topologyileri, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde uygulanır. 12.7nC gate charge ve düşük giriş kapasitansı (534pF @ 400V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-52 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok